檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "陳士勛".ccommittee (精準) and cadvisor.raw="陳炤彰"
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單晶碳化矽晶圓(SiC)為一高崩潰電壓及低阻抗的材料，因此在高功率元件市場上有較大之需求，然而因單晶碳化矽晶圓之高硬度、高抗化學性等性質，使其在製造過程有加工時間繁長及成本高等問題。本研究主要針對單…
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單晶碳化矽基板(Silicon Carbide, SiC)，具有高崩潰電壓(High Breakdown Voltage)及低的阻抗, 因此在高功率元件市場的潛力無窮，但單晶碳化矽基板也因高硬度及高…
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本研究探討聚乳酸 (Polylacit acid, PLA) 添加蠶砂 (Silkworm excrement, SE) 複合材料之射出成形對機械強度增進以及生物可分解性之試驗。首先將蠶砂原料毫米等…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在材料特性以及機械性質上相較於其他半導體材料，具有更明顯的優勢，如具有高崩潰電壓及低的阻抗，在高功耗應用端以及半導體市場中越來越受矚目，但也…
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本研究旨為在玻璃基板上製作出雙面階層陽極氧化鋁結構嵌件，利用階層陽極氧化鋁奈米孔洞結構使其一表面具有超親水性，另一表面作為嵌件射出成形製程使玻璃與聚碳酸酯(PC)鏡片異質結合之介質，製作出具有超親水…
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在化學機械平坦化製程中，化學拋光液與晶圓移除之殘碎會導致拋光墊表面產生鈍化的情況，因此透過拋光墊修整將拋光墊表面已鈍化表面移除，維持穩定的晶圓移除率。本研究將探討修整力量下的拋光墊修整移除率與表面形…
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矽晶圓為製造半導體元件的關鍵基礎材料與太陽能製造用的矽基板不同的是，半導體用之矽晶圓經過線切割後，還需要經過蝕刻、拋光之加工，如何有效提供加工效率以及減少後續拋光製程之加工為本研究主要目的。本研究將…
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單晶矽晶圓為半導體的重要元件，近年來，電子產品被大量使用而導致矽晶圓供不應求，而如何有效率增加矽晶圓的產量是一直以來關切的議題。本研究將延續先前電泳反應式鑽石線鋸製程，並研發一款選擇性電泳沉積(Se…
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固定式磨料或鑽石線鋸切割技術（DWS）隨著技術的進步已逐漸被開發為游離磨料線鋸切削（SWS）的潛在替代品，可用於對硬質和脆性材料進行切片。儘管此技術有許多優點，DWS工藝仍會在切割表面上造成粗糙度、…
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受惠於材料科學與製造科技的發展，聚乳酸(Poly(lactic acid), PLA)及其成品具有高生物相容性，可應用在生物體內；隨著時間的增加，聚乳酸可以被身體吸收並代謝，無須經過二次的手術取出，…